
国度常识产权局信息流露,长春长光圆辰微电子期间有限公司肯求一项名为“一种用于减少等离子体毁伤的低功率刻蚀方法”的专利,公开号CN121398471A,肯求日历为2025年12月。
专利摘抄流露,本肯求触及半导体刻蚀期间限度,本肯求提供一种用于减少等离子体毁伤的低功率刻蚀方法,其特征在于,包括:提供待刻蚀基板于等离子体解决安设的腔室内,所述待刻蚀基板名义至少包含待刻蚀层和掩模层;向所述腔室内通入工艺气体;施加脉冲化的源功率以在所述腔室内产生等离子体,所述脉冲化的源功率包括瓜代的开启时段和关闭时段;在所述开启时段,向所述基板施加偏置功率;建设刻蚀模子并领受遗传算法得到最好刻蚀参数组合;行使所述等离子体对所述待刻蚀层进行刻蚀。本肯求通过领受脉冲化源功率和遗传算法优化刻蚀参数,达到减少等离子体毁伤并擢升刻蚀均匀性的成果。
天眼查云尔流露,长春长光圆辰微电子期间有限公司,竖立于2016年,位于长春市,是一家以从事计较机、通讯和其他电子开辟制造业为主的企业。企业注册本钱41000万东谈主民币。通过天眼查大数据分析,长春长光圆辰微电子期间有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标景况25次,财产陈迹方面有商标信息26条,专利信息70条,此外企业还领有行政许可7个。
{jz:field.toptypename/}声明:商场有风险,投资需严慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不组成个东谈主投资冷漠。
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